[发明专利]H半桥的控制电子电路

摘要

本发明涉及一种用于控制H半桥的电子电路，所述H半桥包括相应不同类型的第一（7）和第二（8）MOSFET晶体管，其源极分别连到供电线（2）和连到电气接地（4），并且相应的漏极连到负载（1）。此外，所述控制电路包括：相应的不同类型的第一（9）和第二（10）双极晶体管，其集电极分别连到供电线（2）和电气接地（4），并且相应的基极连到所述MOSFET晶体管（7、8）的控制模块（16）；以及在所述MOSFET晶体管（7、8）的栅极之间相对于彼此并联装配的第一（18）和第二（19）分支，其连到第一双极晶体管（9）和第二双极晶体管（10）的相应的发射极，所述第一（18）分支包括第一二极管（181）和第一电阻（182），所述第二（19）分支包括第二二极管（191）和第二电阻（192）。

主权项

一种用于控制H半桥的电子电路，所述H半桥包括相应不同类型的第一（7）和第二（8）MOSFET晶体管，其源极分别连到供电线（2）和连到电气接地（4），并且相应的漏极连到中间点（5），所述中间点（5）用于连到负载（1）的端子（6），所述控制电路被适配成使所述MOSFET晶体管（7、8）分别从导通状态转换到阻断状态，所述电子电路的特征在于其包括相应的不同类型的第一（9）和第二（10）双极晶体管，其发射极分别连到第一节点（11）和第二节点（12），集电极分别连到供电线（2）和电气接地（4），并且相应的基极连到第三节点（13），所述第三节点（13）连到所述MOSFET晶体管（7、8）的控制模块（16），所述控制模块按一个称为“高”的状态和一个称为“低”的状态的两状态可配置，以及在所述MOSFET晶体管（7、8）的栅极之间相对于彼此并联装配的第一（18）和第二（19）分支，所述第一（18）分支包括第一二极管（181）和第一电阻（182），所述第二（19）分支包括第二二极管（191）和第二电阻（192）：—第一节点（11）同时连到第一（18）分支的第一二极管（181）的阳极和第一电阻（182），第一分支（18）的所述第一电阻（182）此外连到第二MOSFET晶体管（8）的栅极，并且第一（18）分支的所述第一二极管（181）的阴极连到第一MOSFET晶体管（7）的栅极，—第二节点（12）同时连到第二（19）分支的第二二极管（191）的阴极和第二电阻（192），第二（19）分支的所述第二电阻（192）此外连到第一MOSFET晶体管（7）的栅极，并且第二（19）分支的所述第二二极管（191）的阳极连到第二MOSFET晶体管（8）的栅极。