[发明专利]导电结构体、其制造方法以及包括导电结构体的电极有效
申请号: | 201680018878.5 | 申请日: | 2016-03-28 |
公开(公告)号: | CN107428127B | 公开(公告)日: | 2019-11-19 |
发明(设计)人: | 李一翻;李承宪;章盛晧;吴东炫;黄智泳;金起焕;徐汉珉;朴赞亨;朴宣赢 | 申请(专利权)人: | 株式会社LG化学 |
主分类号: | B32B9/04 | 分类号: | B32B9/04;B32B15/04;G02F1/13;H01B1/02;H01B1/08;H01L51/00 |
代理公司: | 11327 北京鸿元知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王楠楠;张云志<国际申请>=PCT/KR |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本说明书涉及一种导电结构体、其制造方法以及包括所述导电结构体的电极和电子装置。 | ||
搜索关键词: | 导电 结构 制造 方法 以及 包括 电极 | ||
【主权项】:
1.一种导电结构体,包括:/n基板;/n设置在所述基板上的金属层;以及/n设置在所述金属层的至少一个表面上的减光反射层,/n其中,所述减光反射层包含MoTiaOxNy,0<a≤2,0<x≤3,0<y≤2,x+y>0,a、x和y分别指Ti、O和N的原子数的比例,/n其中,所述减光反射层的Mo的元素含量为25原子%以上且为40原子%以下,/n其中,所述减光反射层的Ti的元素含量为10原子%以上且为25原子%以下,/n其中,所述减光反射层的N的元素含量为大于0原子%且为5原子%以下,/n其中,所述减光反射层的O和N的元素含量满足下面的式1,并且所述减光反射层的O的元素含量为40原子%以上且为42.5原子%以下:/n[式1]/n0<N原子%/O原子%<0.2,/n其中,所述基板、所述金属层和所述减光反射层被顺序地设置,在所述减光反射层的与所述金属层接触的表面的相对表面方向上测量的总反射率为35%以下,/n其中,所述金属层包含Cu、Ag、Ar、Cr、Co、Al、Mo、Ti、Fe、V、Ni和它们的合金中的一种或多种金属。/n
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