[发明专利]用于多级别单元模式非易失性存储器的成本优化单级别单元模式非易失性存储器有效
| 申请号： | 201680019125.6 | 申请日： | 2016-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN107466418B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | A.S.拉马林加姆 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C7/00 | 分类号： | G11C7/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶培勇;付曼 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述涉及用于三级别单元(TLC)固态驱动器(SSD)的成本优化单级别单元(SLC)写缓冲相关的方法和设备。在一个实施例中，非易失性存储器包括在单级别单元(SLC)模式的第一区域和在多级别单元模式的第二区域。将第二区域的部分从多级别单元模式移动到SLC模式，而没有增加任何新容量到非易失性存储器，并且没有从非易失性存储器减少任何现有容量。还公开并且要求保护其他实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 多级 单元 模式 非易失性存储器 成本 优化 级别 | ||
【主权项】：
一种设备，包含：非易失性存储器，包括在单级别单元(SLC)模式的第一区域和在多级别单元模式的第二区域；以及逻辑，将所述第二区域的部分从所述多级别单元模式移动到所述SLC模式，而没有增加任何新容量到所述非易失性存储器，并且没有从所述非易失性存储器减少任何现有容量。
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