[发明专利]光刻用下层膜形成用材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜及图案形成方法有效
| 申请号： | 201680019414.6 | 申请日： | 2016-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN107430344B | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 冈田佳奈;牧野嶋高史;越后雅敏;东原豪;大越笃 | 申请（专利权）人： | 三菱瓦斯化学株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/11 | 分类号： | G03F7/11 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种光刻用下层膜形成用材料，其使用下述式(0)所示的化合物。(式(0)中，X各自独立地表示氧原子、硫原子或无桥接，R |
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| 搜索关键词： | 光刻 下层 形成 用材 组合 图案 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻用下层膜形成用材料，其含有下述式(0)所示的化合物，式(0)中，X各自独立地表示氧原子、硫原子或无桥接，R1是碳数1～30的2n价基团或单键，R0各自独立地是碳数1～30的直链状、支链状或环状的烷基、碳数6～30的芳基、碳数2～30的直链状、支链状或环状的烯基、巯基、卤素基、硝基、氨基、羧酸基或羟基，所述烷基、所述烯基和所述芳基任选含有氰氧基、巯基、卤素基、硝基、氨基、羧酸基、羟基、醚键、酮键或酯键，m1各自独立地是0～4的整数，此处，至少一个m1是1～4的整数，m2各自独立地是0～3的整数，n是1～4的整数，p各自独立地是0或1。
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