[发明专利]用于光电子装置和光电化学装置的小分子空穴传输材料

摘要

本发明涉及式(I)的化合物，该化合物基于被二苯胺取代的咔唑并且在光电子装置或光电化学装置中被用作有机空穴导体或空穴传输材料，D选自式(1)或式(2)：

主权项

一种式(I)的化合物其中n是2、3、4、6或8；Q是包含至少一对共轭双键(‑C＝C‑C＝C‑)的单环体系或多环体系，所述多环体系包含通过共价键结合在一起的稠合芳香族环或单环芳香族环，所述单环体系或多环体系被H、卤素、氰基基团、C1‑C20氰基烷基基团、C1‑C20烷基、C1‑C20烷氧基基团、C1‑C20烷氧基烷基、C1‑C20卤代烷基基团、C1‑C20卤代烷氧基烷基取代，其中如果所述氰基烷基、烷基、烷氧基、烷氧基烷基、卤代烷基、卤代烷氧基烷基包含3个或更多个碳，则它们可以是直链、支链或环状的，其中卤素选自Cl、F、Br或I，并且其中Q通过亚甲基桥、二价烷基或甲烷二基键‑CH2‑连接到D；D是独立地选自式(1)或式(2)的杂芳香族多环体系：其中虚线代表D通过其被连接到亚甲基桥或甲烷二基键‑CH2‑的键；R是取代基，每次出现时，R相同或不同地选自卤素、C1‑C9烷氧基基团、C1‑C9烷氧基烷基、C1‑C9烷基基团、C1‑C9卤代烷氧基基团、C1‑C9卤代烷氧基烷基、C1‑C9卤代烷基、C4‑C20芳基、C4‑C20杂芳基、C4‑C20烷基芳基基团、C4‑C20芳氧基基团或C4‑C20杂芳氧基基团，其中杂原子选自O、S、Se、Si，并且卤素是F或Cl；其中如果所述烷基、烷氧基、烷氧基烷基、卤代烷基、卤代烷氧基和卤代烷氧基烷基包含3个或更多个碳，则它们可以是直链、支链或环状的，并且其中所述杂芳基、芳氧基基团、杂芳氧基基团是未被取代的或被C1‑C20烷基或C1‑C20杂烷基取代，其中如果所述烷基和杂烷基包含3个或更多个碳，则它们可以是直链、支链或环状的。