[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201680019716.3 | 申请日： | 2016-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN107534032B | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 小野田宪司;大前翔一朗 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L23/40 | 分类号： | H01L23/40;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体装置具备金属部件(15)、第1半导体芯片(13)、第2半导体芯片(14)、第1焊料(24)、以及第2焊料(25)。第1半导体芯片的发热量比第2半导体芯片的发热量大。第2半导体芯片使用杨氏模量比第1半导体芯片大的材料形成。第1半导体芯片在与金属部件的对置面具有经由第1焊料(24)与金属部件连接的第1金属层(13a)。第2半导体芯片在与金属部件的对置面具有经由第2焊料(25)而与金属部件连接的第2金属层(14a)。第2焊料中的与第2金属层的至少外周端的一部分对应的厚度比第1焊料的最大厚度厚。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备：/n金属部件(15)；/n第1半导体芯片(13)，被配置在上述金属部件的一面(15a)上，在与上述金属部件的对置面上具有第1金属层(13a)；/n第2半导体芯片(14)，使用杨氏模量比上述第1半导体芯片大的材料形成，并且，在上述一面上被配置在与上述第1半导体芯片不同的位置，在与上述金属部件对置的对置面上具有第2金属层(14a)；/n第1焊料(24)，夹设在上述金属部件与上述第1半导体芯片的上述第1金属层之间，将上述金属部件与上述第1金属层连接；以及/n第2焊料(25)，夹设在上述金属部件与上述第2半导体芯片的上述第2金属层之间，将上述金属部件与上述第2金属层连接，/n上述第1半导体芯片的发热量比上述第2半导体芯片的发热量大，其中，/n上述第2焊料中的与上述第2金属层的至少外周端的一部分对应的厚度比上述第1焊料的最大厚度厚，/n上述第2金属层的平面形状呈多边形状，/n在上述第2金属层的角部，上述第2焊料的厚度比上述第1焊料的最大厚度厚。/n
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