[发明专利]提高选择性外延生长的生长速率的方法有效
| 申请号： | 201680020520.6 | 申请日： | 2016-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN107430994B | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 阿布舍克·杜贝;李学斌;黄奕樵;仲华;舒伯特·S·楚 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本公开内容的实施方式一般涉及用于在增大的压力及降低的温度下在半导体装置上形成掺杂硅的外延层的方法。在一个实施方式中，该方法包括将设置在处理腔室内的基板加热至约550℃至约800℃的温度，将包含三氯硅烷(TCS)的硅源、磷源及包含卤素的气体引入处理腔室，且在基板上沉积包含磷的含硅外延层，该含硅外延层具有每立方厘米约1x10 |
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| 搜索关键词： | 提高 选择性 外延 生长 速率 方法 | ||
【主权项】：
一种在基板上形成薄膜的方法，所述方法包括以下步骤：将设置在处理腔室内的基板加热至约550℃至约800℃的温度；将包含三氯硅烷(TCS)的硅源、磷源、及包含卤素的气体引入所述处理腔室；以及在所述基板上沉积含硅外延层，所述含硅外延层包含磷，所述含硅外延层具有每立方厘米约1x1021个原子或更大的磷浓度，其中所述含硅外延层在约150托或更大的腔室压力下沉积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
