[发明专利]包含氧化膦基质和金属盐的半导体材料

摘要

本发明涉及一种半导体材料，其包含：i)式(I)的化合物：其中R¹、R²和R³独立地选自C₁‑C₃₀烷基、C₃‑C₃₀环烷基、C₂‑C₃₀杂烷基、C₆‑C₃₀芳基、C₂‑C₃₀杂芳基、C₁‑C₃₀烷氧基、C₃‑C₃₀环烷氧基、C₆‑C₃₀芳氧基，以及选自具有通式E‑A‑的结构单元，其中A为C₆‑C₃₀亚苯基间隔单元，以及E为电子传输单元，其选自C₁₀‑C₆₀芳基和包含至多6个独立地选自O、S、P、Si和B的杂原子的C₆‑C₆₀杂芳基，并且包含具有至少10个离域电子的共轭系统，并且至少一个选自R¹、R²和R³的基团具有通式E‑A‑；和ii)至少一种式(II)的单价金属的复合物：其中M⁺为携带单一基本电荷的正金属离子，并且A¹、A²、A³和A⁴各自独立地选自H、取代或未取代的C₆‑C₂₀芳基和取代或未取代的C₂‑C₂₀杂芳基，其中所述取代或未取代的C₂‑C₂₀杂芳基的含至少5个成环原子的杂芳基环包含至少一个选自O、S和N的杂原子。

主权项

1.一种半导体材料，其包含：i)式(I)的化合物：其中R¹、R²和R³独立地选自C₁‑C₃₀烷基、C₃‑C₃₀环烷基、C₂‑C₃₀杂烷基、C₆‑C₃₀芳基、C₂‑C₃₀杂芳基、C₁‑C₃₀烷氧基、C₃‑C₃₀环烷氧基、C₆‑C₃₀芳氧基，以及选自具有通式E‑A‑的结构单元，其中‑A为C₆‑C₃₀亚苯基间隔单元，并且‑E为电子传输单元，其选自C₁₀‑C₆₀芳基和包含至多6个独立地选自O、S、P、Si和B的杂原子的C₆‑C₆₀杂芳基，并且包含具有至少10个离域电子的共轭系统，并且‑至少一个选自R¹、R²和R³的基团具有通式E‑A‑；和ii)至少一种式(II)的单价金属的复合物：其中‑M⁺为携带单一基本电荷的正金属离子，并且‑A¹、A²、A³和A⁴各自独立地选自H、取代或未取代的C₆‑C₂₀芳基和取代或未取代的C₂‑C₂₀杂芳基，其中所述取代或未取代的C₂‑C₂₀杂芳基的含至少5个成环原子的杂芳基环包含至少一个选自O、S和N的杂原子。