[发明专利]具有针对增强的耐热性的交错共射共基布局的功率放大器有效
| 申请号： | 201680021110.3 | 申请日： | 2016-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN107431463B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | P·J·莱托拉 | 申请（专利权）人： | 天工方案公司 |
| 主分类号： | H03F1/02 | 分类号： | H03F1/02;H03F1/22;H03F1/56;H03F3/195;H03F3/21;H03F3/24 |
| 代理公司： | 北京市正见永申律师事务所 11497 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种具有针对增强的耐热性的交错共射共基布局的功率放大器。在一些实施例中，诸如功率放大器(PA)这样的射频(RF)放大器可以被配置为接收和放大RF信号。PA可以包括并联地电连接在输入节点与输出节点之间的共射共基器件的阵列。每个共射共基器件可以包括以共射共基配置所布置的共发射极晶体管和共基极晶体管。阵列可以被配置为使得各个共基极晶体管相对于彼此以交错取向来定位。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 针对 增强 耐热性 交错 共射共基 布局 功率放大器 | ||
【主权项】：
一种射频(RF)放大器，包括：输入节点和输出节点，分别被配置为接收RF信号和提供经放大的RF信号；以及共射共基器件的阵列，其实现在所述输入节点与所述输出节点之间以生成经放大的RF信号，每个共射共基器件包括以共射共基配置所布置的共发射极晶体管和共基极晶体管，所述阵列被配置为使得各个共基极晶体管相对于彼此以交错取向来定位。
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