[发明专利]基板处理装置有效
| 申请号： | 201680021625.3 | 申请日： | 2016-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN107438895B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 郑愚德;诸成泰;崔圭鎭;韩星珉 | 申请（专利权）人： | 株式会社EUGENE科技 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨文娟;臧建明 |
| 地址： | 韩国京畿道龙仁市处仁区阳*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理装置。基板处理装置包含：管件，具有内空间；基板支撑件，多个基板在管件内以多级形式堆叠于基板支撑件上，基板支撑件个别地界定分别处理多个基板的多个处理空间；第一气体供应部件，经组态以将第一气体供应至所有多个处理空间中；第二气体供应部件，包括多个喷射器，多个喷射器经安置为分别对应于多个处理空间，使得将第二气体个别地供应至多个基板中的每一者上；以及排出部件，经组态以排出管件内的气体。因此，可将气体个别地供应至分别处理多个基板的处理空间中的每一者中。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种基板处理装置，包括：管件，具有内空间；基板支撑件，多个基板在所述管件内以多级形式堆叠于所述基板支撑件上，所述基板支撑件个别地界定分别处理所述多个基板的多个处理空间；第一气体供应部件，经组态以将第一气体供应至所有所述多个处理空间中；第二气体供应部件，包括多个喷射器，所述多个喷射器经安置为分别对应于所述多个处理空间，使得将第二气体个别地供应至所述多个基板中的每一者上；以及排出部件，经组态以排出所述管件内的气体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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