[发明专利]蚀刻被蚀刻层的方法

摘要

本发明提供一种蚀刻被蚀刻层的方法。在本发明的一实施方式的方法中，在吸附工序中，对下部电极不施加高频偏压而使由处理气体生成的自由基吸附于被蚀刻层。在接下来的蚀刻工序中，对下部电极施加高频偏压，并将由处理气体生成的离子引入被蚀刻层。吸附工序与蚀刻工序交替地重复。在吸附工序中，自由基的密度为离子的密度的200倍以上。在蚀刻工序中，功率密度为0.07W/cm2以下的RF能量供给至下部电极或功率密度为0.14W/cm2以下的高频偏压在0.5秒以下的期间供给至下部电极。

主权项

一种方法，其为蚀刻被处理体的被蚀刻层的方法，该蚀刻方法包括：在等离子体处理装置的处理容器内，将所述被处理体载置于具有下部电极的载置台上的工序；对所述下部电极不施加高频偏压而使由处理气体生成的自由基吸附于所述被蚀刻层的工序；及对所述下部电极施加高频偏压，并将由所述处理气体生成的离子引入所述被蚀刻层的工序，该工序与吸附自由基的所述工序连续地进行，吸附自由基的所述工序与引入离子的所述工序交替地重复，在吸附自由基的所述工序中，配置有所述被处理体的所述处理容器内的空间中的自由基的密度为该空间中的离子的密度的200倍以上的密度，在引入离子的所述工序中，功率密度为0.07W/cm2以下的所述高频偏压供给至下部电极或功率密度为0.14W/cm2以下的所述高频偏压在0.5秒以下的期间供给至所述下部电极。