[发明专利]用于在室温下生产电工薄层的方法及电工薄层有效
| 申请号： | 201680022142.5 | 申请日： | 2016-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN107896511B | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 冈格达朗·普万德拉林伽;帕特里克·林德;丹尼尔·林德 | 申请（专利权）人： | 动态太阳能系统公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 康艳青;姚开丽 |
| 地址： | 德国法*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本方法第一次提出了一种用于生产电工薄层的方法，其使得可能通过使用附加试剂在室温下进行工艺控制，从而在非常短的时间内提供稳定的薄层。因此，甚至对于总工业工艺控制的情况下，能够替换平板PC以及更深远的应用中的锂离子电池的电容式蓄电池是可能的。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 室温 生产 电工 薄层 方法 | ||
【主权项】：
一种通过在区域上提供以分散体的导电和/或半导电的无机附聚物并固化它们以形成层来生产电工薄层的室温方法，其特征在于‑该固化在室温下进行，并且‑通过与至少一种试剂接触来加速该固化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
