[发明专利]钽酸锂单晶基板及其接合基板、该接合基板的制造方法以及使用该基板的表面声波器件在审
| 申请号： | 201680022206.1 | 申请日： | 2016-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN107429425A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 丹野雅行;阿部淳;加藤公二;桑原由则 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C04B37/00;C04B37/02;C30B31/02;C30B33/06;H03H9/25 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所11323 | 代理人： | 权鲜枝,侯剑英 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种钽酸锂单晶基板，其翘曲小，无破损、瑕疵，并且温度特性比现有的旋转Y切割LiTaO3基板好，机电耦合系数大，而且器件的Q值高。本发明的钽酸锂单晶基板是使Li从晶体方位为旋转36°Y～49°Y切割的旋转Y切割LiTaO3基板的表面向内部扩散，而具有基板表面和基板内部的Li浓度不同的浓度分布的LiTaO3单晶基板，其特征在于，该LiTaO3单晶基板被实施了单一极化处理，从基板表面到在LiTaO3基板表面传播的表面声波或者泄露表面声波的波长的5～15倍的深度为止具有大致均匀的Li浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 钽酸锂单晶基板 及其 接合 制造 方法 以及 使用 表面 声波 器件 | ||
【主权项】：
一种钽酸锂单晶基板，是使Li从晶体方位为旋转36°Y～49°Y切割的旋转Y切割LiTaO3基板的表面向内部扩散，而具有基板表面和基板内部的Li浓度不同的浓度分布的LiTaO3单晶基板，其特征在于，该LiTaO3单晶基板被实施了单一极化处理，从上述基板表面到在该LiTaO3基板表面传播的表面声波或者泄露表面声波的波长的5～15倍的深度为止具有大致均匀的Li浓度。
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