[发明专利]基板处理方法和基板处理系统

摘要

本发明提供在使进行抗蚀剂涂覆的基板处理装置与进行显影处理的基板处理装置为独立的装置时，能够稳定地进行抗蚀剂图案的形成处理的技术。将在第一基板处理装置1涂覆抗蚀剂之后被加热处理过的晶片W在第二基板处理装置2中在曝光前也进行加热处理。因此，即使从第一基板处理装置1搬送到第二基板处理装置2时，在晶片W附着了气氛中的胺，胺也通过加热处理而飞散。另外，基于包括FOUP10从第一基板处理装置1被搬出之后、至该FOUP10被搬入到第二基板处理装置中的时间在内的晶片W的放置时间，调整加热时间和加热温度中的至少一个。由此，抑制在晶片W之间抗蚀剂中的溶剂的剩余量的不均匀。因此能够实现抗蚀剂图案的形成处理的稳定化。

主权项

一种基板处理方法，其特征在于，包括：在第一基板处理装置在基板上涂覆抗蚀剂的工序；接着，在第一基板处理装置对基板进行加热处理的工序；之后，将所述基板收纳在载置器中，并从第一基板处理装置的载置区块搬送到第二基板处理装置的载置区块的工序；基于包括载置器从所述第一基板处理装置的载置区块被搬出后、至该载置器被搬入到第二基板处理装置的载置区块中的时间在内的基板放置时间，在调整了加热时间和加热温度中的至少一个的状态下，在所述第二基板处理装置对基板进行加热处理的工序；和接着，将所述基板曝光，再通过所述第二基板处理装置进行了加热处理之后，进行显影的工序。