[发明专利]曝光系统在审
| 申请号： | 201680022373.6 | 申请日： | 2016-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN107533956A | 公开（公告）日： | 2018-01-02 |
| 发明（设计）人： | 柴崎祐一 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20;H01L21/677 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 肖靖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的曝光系统(1000)具备第1行腔室(3001～3003)，在+X侧与设置于地面F上的C/D(9000)相邻而配置；第2行腔室，其等与第1行腔室对向而配置在‑Y侧；及第1控制架(200)，在‑X侧与第2行腔室相邻，且与C/D(9000)对向而配置在‑Y侧。在至少一部分的多个腔室的内部，分别形成有进行曝光的曝光室，第1控制架(200)将自地面(F)的下方供应来的公用能源分配至第1行及第2行腔室的各个。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 系统 | ||
【主权项】：
一种曝光系统，利用带电粒子束将目标物曝光，具备：第1腔室，与向目标物涂敷感应剂的基板处理装置相邻地配置；第2腔室，相对上述第1腔室，在与该第1腔室和上述基板处理装置相邻的第1方向交叉的第2方向隔开地配置；以及第1控制架，与上述第2腔室以及上述基板处理装置的各个相邻或靠近地配置，且连接于外部的公用能源供应源，上述第1控制架将从上述公用能源供应源供应的上述公用能源分配至上述第1腔室及上述第2腔室的各个。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
