[发明专利]MOSFET栅极驱动器中的DV/DT控制在审
| 申请号： | 201680022856.6 | 申请日： | 2016-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN107820679A | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | 埃里克·胡斯泰特 | 申请（专利权）人： | KSRIP控股有限责任公司 |
| 主分类号： | H03K5/07 | 分类号： | H03K5/07;H03K17/16 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所44237 | 代理人： | 官建红 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种电子开关电路，包括具有源极、漏极和栅极的场效应晶体管。电容和电阻串联连接在所述场效应晶体管的栅极和源极之间。电路的输入信号连接至所述电容和电阻之间的结。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 栅极 驱动器 中的 dv dt 控制 | ||
【主权项】：
一种电子开关电路，包括：具有源极、漏极和栅极的场效应晶体管，串联连接在所述场效应晶体管的所述栅极与所述源极之间的电容和电阻，其中，所述电路接收所述漏极与结之间的信号，所述结在所述电容与所述电阻之间。
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