[发明专利]气体扩散电极基材及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201680022919.8 申请日: 2016-04-15
公开(公告)号: CN107534156B 公开(公告)日: 2020-11-27
发明(设计)人: 桥本胜;若田部道生;加藤颂 申请(专利权)人: 东丽株式会社
主分类号: H01M4/86 分类号: H01M4/86;H01M4/88;H01M4/96
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 刘航;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供能够抑制由细孔堵塞所引起的气体扩散性的降低、抑制发电性能的降低、而且水向系统外的排出性优异的气体扩散电极基材。本发明为一种气体扩散电极基材,其是在电极基材的一个表面配置有微多孔层(以下称为MPL)的气体扩散电极基材,厚度为110μm以上240μm以下,在将气体扩散电极基材的截面分为具有MPL的部分和不具有MPL的部分,而且将不具有MPL的部分二等分为与MPL接触的部分(以下称为CP1截面)和不与MPL接触的部分(以下称为CP2截面)时,CP1截面的F/C比为0.03以上0.10以下,CP2截面的F/C比小于0.03。在此,“F”表示氟原子的质量,“C”表示碳原子的质量。
搜索关键词: 气体 扩散 电极 基材 及其 制造 方法
【主权项】:
一种气体扩散电极基材,是在电极基材的一个表面配置有微多孔层即MPL的气体扩散电极基材,厚度为110μm以上240μm以下,在将气体扩散电极基材的截面分为具有MPL的部分和不具有MPL的部分,而且将不具有MPL的部分二等分为与MPL接触的部分即CP1截面和不与MPL接触的部分即CP2截面时,CP1截面的F/C比为0.03以上0.10以下,CP2截面的F/C比小于0.03,其中,F表示氟原子的质量,C表示碳原子的质量。
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