[发明专利]清洁高深宽比通孔有效
| 申请号： | 201680023572.9 | 申请日： | 2016-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN107810546B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 刘杰;S·朴;A·王;Z·崔;N·K·英格尔 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/308;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/02;H01L21/027;H01L27/11556;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖;金红莲 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了一种自通孔移除非晶硅/氧化硅膜堆叠的方法。该方法可涉及包含氟的远程等离子体及包含氟及远程等离子体中未激发的含氮与氢的前驱物的局部等离子体以移除氧化硅。该方法可随后涉及惰性物种的局部等离子体以潜在地移除任何薄碳层(光阻剂的残留物)并且处理非晶硅层，以为移除作准备。该方法可随后涉及利用相同基板处理区域内可能的若干选项移除经处理的非晶硅层。通孔的底部可随后具有已暴露的单晶硅，此已暴露的单晶硅有益于外延单晶硅膜生长。本文所呈现的方法可特别适用于三维NAND(例如，VNAND)装置形成。 | ||
| 搜索关键词： | 清洁 高深 | ||
【主权项】：
一种蚀刻经图案化基板的方法，所述方法包含以下步骤：在所述经图案化基板上形成经图案化的光阻剂层；将高深宽比通孔反应性离子蚀刻至所述经图案化基板中，其中反应性离子蚀刻在所述高深宽比通孔的底部处形成非晶硅层；自所述经图案化基板灰化所述光阻剂层，其中灰化在所述非晶硅层上方形成氧化硅层；自所述高深宽比通孔的所述底部选择性蚀刻所述氧化硅层；以及自所述高深宽比通孔的所述底部选择性蚀刻所述非晶硅层至已暴露的单晶硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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