[发明专利]源极线布局与磁隧道结（MTJ）存储器位单元中的存取晶体管接触布置的解耦以促进减小的接触电阻有效
| 申请号： | 201680024281.1 | 申请日： | 2016-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN107533859B | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 朱小春;鲁宇;朴禅度;康相赫 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;董典红 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了磁隧道结(MTJ)存储器位单元，其将源极线布局与存取晶体管节点尺寸解耦，以促进减小的接触电阻。在一个示例中，提供了MTJ存储器位单元(500B)，其包括源极板(508)，该源极板设置在用于存取晶体管(512)的源极节点(S)的源极接触件(502)上方并与该源极接触件接触。源极线(516)设置在源极板上方并与源极板接触以将源极线电连接到源极节点。源极板允许将源极线提供于比存取晶体管的源极接触件和漏极接触件更高的金属层级中，使得源极线不与源极接触件物理接触(即，解耦)。这允许源极线和漏极列之间的间距从源极节点和漏极节点的宽度被释放而不必增加接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 源极线 布局 隧道 mtj 存储器 单元 中的 存取 晶体管 接触 布置 促进 减小 电阻 | ||
【主权项】：
1.一种在集成电路中的磁隧道结存储器位单元，包括：有源半导体层，所述有源半导体层包括存取晶体管，所述存取晶体管包括源极节点、漏极节点和栅极节点；漏极接触件，所述漏极接触件被设置在所述漏极节点上方并与所述漏极节点接触；源极接触件，所述源极接触件被设置在所述源极节点上方并与所述源极节点接触；漏极列，所述漏极列包括被设置在所述漏极接触件上方并与所述漏极接触件接触的漏极板；磁隧道结，所述磁隧道结被设置在所述有源半导体层上方，与所述漏极列电接触；源极板，所述源极板包括被设置在第一金属层中的金属线，在所述源极接触件上方并与所述源极接触件接触；和源极线，所述源极线被设置在所述第一金属层上方的第二金属层中，所述源极线与所述源极板电接触以将所述源极线电连接到所述源极节点。
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