[发明专利]掩模一体型表面保护膜有效
| 申请号： | 201680024338.8 | 申请日： | 2016-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN107533964B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 横井启时;内山具朗;冈祥文 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;B23K26/351;H01L21/304;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成;褚瑶杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种掩模一体型表面保护膜，其为具有基材膜和设置于该基材膜上的掩模材料层的掩模一体型表面保护膜，其特征在于，上述掩模材料层为乙烯‑乙酸乙烯酯共聚物树脂、乙烯‑丙烯酸甲酯共聚物树脂或乙烯‑丙烯酸丁酯共聚物树脂，上述掩模材料层的厚度为50μm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 掩模一 体型 表面 保护膜 | ||
【主权项】：
一种掩模一体型表面保护膜，其为具有基材膜和设置于该基材膜上的掩模材料层的掩模一体型表面保护膜，其特征在于，所述掩模材料层为乙烯‑乙酸乙烯酯共聚物树脂、乙烯‑丙烯酸甲酯共聚物树脂或乙烯‑丙烯酸丁酯共聚物树脂，所述掩模材料层的厚度为50μm以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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