[发明专利]使用基板级离子注入制造太阳能电池发射极区

摘要

本发明描述了使用基板级离子注入制造太阳能电池发射极区的方法以及所得的太阳能电池。在一个实例中，制造太阳能电池的方法包括通过离子注入在半导体基板中形成轻掺杂区，所述轻掺杂区为第一浓度的第一导电类型。所述方法还包括通过离子注入形成具有第二更高浓度的所述第一导电类型的第一多个掺杂区，所述第一多个掺杂区与所述轻掺杂区的第一部分重叠。所述方法还包括通过离子注入形成第二多个掺杂区，所述第二多个掺杂区具有浓度高于第一浓度的第二导电类型，并且所述第二多个掺杂区与轻掺杂区的第二部分重叠并且与所述第一多个掺杂区相间但不重叠。

主权项

1.一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：通过离子注入在半导体基板中形成轻掺杂区，所述轻掺杂区为具有第一浓度的第一导电类型；通过离子注入形成具有第二更高浓度的所述第一导电类型的第一多个掺杂区，所述第一多个掺杂区与所述轻掺杂区的第一部分重叠；以及通过离子注入形成第二多个掺杂区，所述第二多个掺杂区具有浓度高于所述第一浓度的第二导电类型，并且所述第二多个掺杂区与所述轻掺杂区的第二部分重叠并且与所述第一多个掺杂区相间但不重叠；其中所述轻掺杂区、所述第一多个掺杂区和所述第二多个掺杂区形成于所述半导体基板的背表面中，所述背表面与所述半导体基板的光接收表面相对，所述方法还包括：在所述半导体基板的所述光接收表面上形成掺杂的非晶硅层；以及在对所述半导体基板进行热退火，使所述掺杂的非晶硅层晶化，以在所述半导体基板的所述光接收表面上形成掺杂的多晶硅层。