[发明专利]耐等离子体涂膜及其形成方法有效
| 申请号： | 201680025234.9 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN107592941B | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 郑在铉;梁正敃;边载浩;高贤哲 | 申请（专利权）人： | KOMICO有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/02;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 孙昌浩;李盛泉 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种耐等离子体涂膜及其形成方法，更具体而言，涉及一种喷涂第一稀土类金属化合物之后，借助以气溶胶蒸镀和水合处理进行之双重密封使涂层的敞口通道和开孔最小化，从而能够确保耐化学特性，并且基于致密的稀土类金属化合物涂膜确保等离子体耐腐蚀性之耐等离子体涂膜及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种耐等离子体涂膜的形成方法，其包括如下步骤：在涂布对象物上喷涂第一稀土类金属化合物而形成第一稀土类金属化合物层之步骤(a)；在所形成的所述第一稀土类金属化合物层气溶胶蒸镀第二稀土类金属化合物而形成第二稀土类金属化合物层之步骤(b)；及对所形成之所述第一稀土类金属化合物层和第二稀土类金属化合物层进行水合处理之步骤(c)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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