[发明专利]压接型半导体装置有效
申请号: | 201680025897.0 | 申请日: | 2016-03-25 |
公开(公告)号: | CN107533983B | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
发明(设计)人: | 奥田聪志;古川彰彦;池田知弘 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/52 | 分类号: | H01L21/52;H01L25/07;H01L25/18 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 金春实 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在压接型半导体装置(1)中,第2半导体芯片(15)上的第2中间电极(25)具有1个以上的第2贯通孔(28)。1个以上的第2贯通孔(28)与被筒体(50)、第1共同电极板(40)以及第2共同电极板(45)气密密封的空间(48)流体分离。由此,压接型半导体装置(1)具有高的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 压接型 半导体 装置 | ||
【主权项】:
一种压接型半导体装置,其中,具备压接型半导体元件和按压所述压接型半导体元件的按压部,所述压接型半导体元件包括:3端子型的第1半导体芯片,具有第1电极、第2电极以及第3电极;2端子型的第2半导体芯片,具有第4电极和第5电极;所述第1半导体芯片的所述第1电极上的第1中间电极;所述第2半导体芯片的所述第4电极上的第2中间电极;第1共同电极板以及第2共同电极板,夹持所述第1半导体芯片、所述第2半导体芯片、所述第1中间电极以及所述第2中间电极;以及筒体,机械连接于所述第1共同电极板以及所述第2共同电极板,所述筒体、所述第1共同电极板以及所述第2共同电极板对所述第1半导体芯片、所述第2半导体芯片、所述第1中间电极以及所述第2中间电极进行气密密封,所述第1共同电极板以及所述第2共同电极板一边被所述按压部向所述第1半导体芯片以及所述第2半导体芯片按压,一边被电连接于所述第1半导体芯片以及所述第2半导体芯片,所述第2半导体芯片与所述第1半导体芯片电并联连接,所述第1中间电极具有与所述第1半导体芯片的所述第1电极对置的第1表面以及与所述第1表面相反一侧的第2表面,所述第2中间电极具有与所述第2半导体芯片的所述第4电极对置的第3表面以及与所述第3表面相反一侧的第4表面,所述第2中间电极具有贯通所述第3表面与所述第4表面之间的1个以上的第2贯通孔,所述1个以上的第2贯通孔与由所述筒体、所述第1共同电极板以及所述第2共同电极板气密密封的空间流体分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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