[发明专利]单片式二极管激光器布置结构有效
| 申请号： | 201680026650.0 | 申请日： | 2016-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN107567671B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | M·克勒曼;S·希尔岑绍尔;J·吉利;P·弗里德曼;J·比森巴赫 | 申请（专利权）人： | 迪拉斯二极管有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/40 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘盈 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单片式二极管激光器布置结构(100)，其包括多个在一个共同的载体基质上并排设置的单发射器(101)，所述单发射器分别具有用于电触点接通的接触窗口(19、20)，所述接触窗口在相应的单发射器(101)上设置在与载体基质对置的前侧上。此外，本发明涉及一种用于制造这种二极管激光器布置结构的方法和包括这样的二极管激光器布置结构的激光装置。 | ||
| 搜索关键词： | 单片 二极管 激光器 布置 结构 | ||
【主权项】：
单片式二极管激光器布置结构(100)，包括多个在一个共同的载体基质上并排设置的单发射器(101)，所述单发射器分别具有用于电触点接通的接触窗口(19、20)，所述接触窗口在相应的单发射器(101)上设置在与载体基质对置的前侧上，其特征在于，每个单发射器(101)包括多层的外延结构(18)，所述外延结构施加在外延基质(17)上，使得外延基质(17)不完全被外延结构(18)覆盖并且外延结构(18)包括至少一个p掺杂的覆盖层和至少一个n掺杂的覆盖层，其中，p接触窗口(19)为了电触点接通p掺杂的覆盖层而设置在外延结构(18)上的前侧并且n接触窗口(20)为了电触点接通n掺杂的覆盖层在外延基质(17)上的前侧设置在如下区域中，在所述区域中，外延基质(17)不被外延结构(18)覆盖。
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