[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201680026965.5 | 申请日： | 2016-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN107534043B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 中尾良昭;河野和幸 | 申请（专利权）人： | 松下半导体解决方案株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;H01L45/00;H01L49/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 吕文卓 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体存储装置(1000)具备第一选择线(108)以及第二选择线(109)，多个存储元件之中的第一存储元件(100)具有第一上部电极(101)以及第一下部电极(103)，第一上部电极(101)与第一选择线(108)连接，第一下部电极(103)与第二选择线(109)连接，多个存储元件之中被配置为与第一存储元件(100)邻接的第二存储元件(104)具有第二上部电极(105)以及第二下部电极(107)，第二上部电极(105)与第一选择线(108)连接，第二下部电极(107)，不经由第二存储元件(104)以外的存储元件的第二电阻体(106)而与第一选择线(108)连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，具备：多个存储元件，分别具有上部电极、下部电极、以及被配置在所述上部电极与所述下部电极之间的电阻器；第一选择线；以及第二选择线，所述多个存储元件之中的第一存储元件具有，作为所述上部电极的第一上部电极、以及作为所述下部电极的第一下部电极，所述第一上部电极，与所述第一选择线连接，所述第一下部电极，与所述第二选择线连接，所述多个存储元件之中的、被配置为与所述第一存储元件邻接的第二存储元件具有，作为所述上部电极的第二上部电极、以及作为所述下部电极的第二下部电极，所述第二上部电极，与所述第一选择线连接，所述第二下部电极，不经由所述第二存储元件以外的存储元件的所述电阻器而与所述第一选择线连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
