[发明专利]SiC单晶的制造方法有效
| 申请号： | 201680027101.5 | 申请日： | 2016-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN107532329B | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 关和明;楠一彦;龟井一人;旦野克典;大黑宽典;土井雅喜 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B19/10;H01L21/208 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供能够抑制SiC多晶产生的SiC单晶的制造方法。本实施方式的SiC单晶的制造方法为利用溶液生长法的SiC单晶的制造方法。本实施方式的SiC单晶的制造方法具备输出功率升高工序(S1)、接触工序(S2)和生长工序(S4)。输出功率升高工序(S1)中，将感应加热装置(3)的高频输出功率升高到晶体生长时的高频输出功率。接触工序(S2)中，使SiC晶种(8)与Si‑C溶液(7)接触。接触工序(S2)中的感应加热装置(3)的高频输出功率大于晶体生长时的高频输出功率的80％。接触工序(S2)中的Si‑C溶液(7)的温度低于晶体生长温度。生长工序(S4)中，在晶体生长温度下使SiC单晶生长。 | ||
| 搜索关键词： | sic 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种利用溶液生长法的SiC单晶的制造方法，其具备：将感应加热装置的高频输出功率升高到晶体生长时的高频输出功率的输出功率升高工序，在所述感应加热装置的所述高频输出功率大于所述晶体生长时的所述高频输出功率的80％并且Si‑C溶液的温度低于晶体生长温度时、使SiC晶种与Si‑C溶液接触的接触工序，和在所述晶体生长温度下使SiC单晶生长的生长工序。
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