[发明专利]具有回跳预防的磁性存储单元存储器有效
| 申请号： | 201680027608.0 | 申请日： | 2016-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN107636761B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | C·奥古斯丁;S·富岛;W·吴;S-L·陆;J·W·茨陈兹;G·帕纳古普洛斯;H·纳诶米 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 高见;张欣 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了一种装置，该装置包括具有电阻性存储单元的半导体芯片存储器阵列。所述装置也包括比较器，所述比较器用于对照所述阵列中所存储的位于写入操作标定的位置处的第二字来比较要被写入所述阵列的第一字，所述写入操作将把所述第一字写入所述阵列。所述装置也包含用于通过随每次连续迭代增加写入电流强度来迭代地写入其中所述第一字与所述第二字之间存在不同的一个或多个位地址的电路。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 预防 磁性 存储 单元 存储器 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：具有电阻性存储单元的半导体芯片存储器阵列；比较器，所述比较器用于对照所述阵列中所存储的位于写入操作标定的位置处的第二字来比较要被写入所述阵列的第一字，所述写入操作将把所述第一字写入所述阵列；以及用于通过随每次连续迭代增加写入电流强度来迭代地写入其中所述第一字与所述第二字之间存在不同的一个或多个位地址的电路。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680027608.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
