[发明专利]源壳体组件、离子撷取系统及改善离子撷取系统的方法有效

专利信息
申请号: 201680027886.6 申请日: 2016-05-11
公开(公告)号: CN108040498B 公开(公告)日: 2020-08-04
发明(设计)人: 常胜武;杰夫·柏吉斯;威廉·里维特;麦可·圣彼得;马特·莫许;约瑟·C·欧尔森;法兰克·辛克莱 申请(专利权)人: 瓦里安半导体设备公司
主分类号: H01J3/04 分类号: H01J3/04;H01J5/02;H01J27/02;H01J27/08;H01J37/08
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 马爽;臧建明
地址: 美国麻萨诸塞*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本文提供源壳体组件、离子撷取系统及改善离子撷取系统的方法。源壳体组件可包括源壳体,所述源壳体环绕包括弧室的离子源,所述源壳体具有安装于其近端处的撷取孔板。所述源壳体组件还包括真空衬垫,所述真空衬垫安置于所述源壳体的内部内以在一组真空抽吸孔周围形成屏障。在构成后,所述源壳体组件中的除撷取孔板中的开口以外的开口被撷取孔板及真空衬垫封闭,进而确保在弧室外形成的附属弧或无关离子保持于源壳体内。只有在弧室内形成的那些离子经由撷取孔板的开口而离开源壳体。
搜索关键词: 壳体 组件 离子 撷取 系统 改善 方法
【主权项】:
1.一种源壳体组件,其特征在于,包括:源壳体,包括远端及近端;离子源,包括安置于所述源壳体的内部内的弧室;以及撷取孔板,安装至所述源壳体的所述远端,所述撷取孔板延伸于所述源壳体中的由所述源壳体的所述内部在所述远端处界定的开口上方,且所述撷取孔板具有进一步界定所述弧室的孔的开口。
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