[发明专利]透光性导电膜、及经退火处理的透光性导电膜的制造方法有效
| 申请号： | 201680027950.0 | 申请日： | 2016-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN107533883B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 小山健史;增泽健二;村上淳之介;福田崇志 | 申请（专利权）人： | 积水化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;B32B27/36;B32B27/06;B32B33/00;B32B7/12;C23C14/08;C23C14/34;H01B13/00;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张涛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种即使在短时间内进行退火处理，也能够降低电阻值的透光性导电膜。本发明的透光性导电膜具备具有透光性及导电性的导电层、和配置于所述导电层的一个表面侧的基材，所述导电层为铟锡氧化物的非晶质层，所述导电层中的In原子和Sn原子的合计的含量100重量％中，Sn原子的含量为7重量％以上，所述导电层的载流子密度为4×10 |
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| 搜索关键词： | 透光 导电 退火 处理 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种透光性导电膜，其具备：具有透光性及导电性的导电层、和配置于所述导电层的一个表面侧的基材，所述导电层为铟‑锡氧化物的非晶体层，所述导电层中的In原子和Sn原子的总计含量100重量％中，Sn原子的含量为7重量％以上，所述导电层的载流子密度为4×1020/cm3以上、6×1020/cm3以下，所述导电层的霍尔迁移率为20cm2/V·s以上、28cm2/V·s以下。
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