[发明专利]硅基电荷中和系统有效
| 申请号： | 201680028350.6 | 申请日： | 2016-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN107624083B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 彼得·格夫特;阿列克谢·克洛奇科夫 | 申请（专利权）人： | 伊利诺斯工具制品有限公司 |
| 主分类号： | B08B7/00 | 分类号： | B08B7/00;B32B17/10;H01L31/048;H05F3/06;B32B15/085;B32B27/32;B32B7/12;B32B27/30;B32B15/08;H01T23/00;B32B15/18;H01T19/00;B32B15/082 |
| 代理公司： | 上海脱颖律师事务所 31259 | 代理人： | 脱颖 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种用于低发射电荷中和的方法，包含：生成高频交流(AC)电压；将高频AC电压传输到至少一个非金属发射体(300a)；其中，至少一个非金属发射体包含至少70重量％的硅且小于99.99重量％的硅；其中，所述至少一个发射体包含具有被摧毁的氧化层的至少一个已处理表面部分(310a)；以及响应于高频AC电压从至少一个非金属发射体生成离子。本发明的另一个实施例提供了一种用于低发射电荷中和的设备，其中，该设备可以执行上述操作。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷 中和 系统 | ||
【主权项】：
一种用于低发射电荷中和的方法，包含：生成高频交流(AC)电压；将所述高频AC电压传输到至少一个非金属发射体；其中，所述至少一个非金属发射体包含至少70重量％的硅且小于99.99重量％的硅；其中，所述至少一个发射体包含具有被摧毁的氧化层的至少一个已处理表面部分；以及响应于所述高频AC电压从所述至少一个非金属发射体生成离子。
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