[发明专利]五氯二硅烷在审
申请号: | 201680028698.5 | 申请日: | 2016-05-19 |
公开(公告)号: | CN107614749A | 公开(公告)日: | 2018-01-19 |
发明(设计)人: | X·周 | 申请(专利权)人: | 美国道康宁公司 |
主分类号: | C23C16/34 | 分类号: | C23C16/34;C23C16/40;C23C16/455 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 郭辉 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于沉积的硅前体化合物,所述硅前体化合物包含五氯二硅烷;一种用于成膜的组合物,所述组合物包含硅前体化合物和以下中的至少一种惰性气体、分子氢、碳前体、氮前体、和氧前体;一种在基材上形成含硅膜的方法,所述方法利用所述硅前体化合物,并且所述含硅膜由此形成。 | ||
搜索关键词: | 五氯二 硅烷 | ||
【主权项】:
一种在基材上形成含硅膜的方法,所述方法包括使由五氯二硅烷组成的硅前体的蒸气在存在所述基材的情况下经受沉积条件,从而在所述基材上形成含硅膜,其中所述含硅膜是硅氮膜或硅氧膜,并且所述方法利用原子层沉积。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的