[发明专利]具有提高的光吸收的光敏像素结构以及光敏植入物有效
| 申请号： | 201680029437.5 | 申请日： | 2016-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN107667432B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 马丁·德特尔 | 申请（专利权）人： | PIXIUM视野股份公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;A61N1/36;A61N1/05 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 谢攀;刘继富 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光敏像素结构(10)，包括具有前表面和后表面的衬底(15)，其中，在衬底(15)的表面中的一个上设置有至少一个光敏二极管(12、12’)。第一材料层(30)至少部分地设置在衬底(15)的后表面上，其中，第一材料层(30)包括反射层，以便于提高衬底的后表面处的反射率。此外，本发明涉及包括这样的光敏像素结构(10)的阵列(1)和植入物，以及产生像素结构(10)的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 提高 光吸收 光敏 像素 结构 以及 植入 | ||
【主权项】：
一种光敏像素结构(10)，包括具有前表面和后表面的衬底(15)，其中，在所述衬底(15)的所述表面中的一个上设置有至少一个光敏二极管(12、12’)，其特征在于，第一材料层(30)至少部分地设置在所述衬底(15)的所述后表面上，其中，所述第一材料层(30)包括反射层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
