[发明专利]固态摄像元件有效
申请号: | 201680029666.7 | 申请日: | 2016-05-20 |
公开(公告)号: | CN107615483B | 公开(公告)日: | 2022-05-17 |
发明(设计)人: | 押山到;田中洋志 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;G02B1/115;G02B1/118;H01L27/146;H04N5/357;H04N5/369 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 李晗;曹正建 |
地址: | 日本国东*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本技术涉及一种能抑制宽波长带的入射光的反射的固态摄像元件。所公开的是一种固态摄像元件,其中反射率调整层设置于在入射光的入射方向上由Si等组成的衬底上,并且调整在衬底上的入射光反射,所述反射率调整层由形成在衬底上的第一层和形成在第一层上的第二层构成。所述第一层由设置在衬底上的不规则结构和涂布到所述凹凸结构的凹部中并且折射率低于衬底的折射率的材料构成,并且所述第二层由折射率低于第一层的折射率的材料构成。通过使用薄膜干涉原理能减少由Si等组成的衬底上的反射。本技术能应用于固态摄像元件。 | ||
搜索关键词: | 固态 摄像 元件 | ||
【主权项】:
一种固态成像传感器,包括:衬底,其对于每个像素单位具有被配置为通过光电转换产生与入射光的量对应的像素信号的光电转换单元;反射率调整层,其在所述入射光相对于所述衬底的入射方向上设置在所述衬底上,并且被配置为调整所述入射光在所述衬底上的反射;以及环境介质,其设置在所述反射率调整层上,其中所述反射率调整层包括形成在所述衬底上的第一层和形成在所述第一层上的第二层,所述第一层包括设置在所述衬底上的凹凸结构和填充到所述凹凸结构的凹部中并且折射率低于所述衬底的折射率的材料,所述第二层包括折射率低于所述第一层的折射率的材料,并且所述衬底的折射率高于所述第一层的折射率,所述第一层的折射率高于所述第二层的折射率,所述第二层的折射率高于所述环境介质的折射率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的