[发明专利]基板处理系统及基板处理方法有效
申请号: | 201680029785.2 | 申请日: | 2016-06-14 |
公开(公告)号: | CN107636807B | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 庄盛博文;木村敦夫 | 申请(专利权)人: | 株式会社JET |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/304;H01L21/308 |
代理公司: | 北京海智友知识产权代理事务所(普通合伙) 11455 | 代理人: | 吴京顺 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种基板处理系统及基板处理方法,能够得到所需的蚀刻率和选择比,而且能够进行稳定的处理。将基板(11)浸渍在储存于处理槽(14)内的处理液(12)中。处理槽(14)由盖部件(21a、21b)密封,内部通过来自加热的处理液(12)的水蒸气被加压。处理液(12)中纯水连续地被加入。测量处理槽(14)的内部压力,并根据内部压力(Pa),增减排气阀(41)的开度以将内部压力保持在预定的压力的同时,根据内部压力(Pa),增减纯水的加水量,从而由具有预定的浓度和温度的处理液(12)处理基板(11)。 | ||
搜索关键词: | 处理 系统 方法 | ||
【主权项】:
一种基板处理系统,通过将基板浸渍在由加热的水溶液构成的处理液中来去除基板表面的被膜,其特征在于,包括:处理槽,储存所述处理液,所述基板浸渍在所述处理液中;循环部,使从所述处理槽排出的所述处理液返回到所述处理槽;处理液加热部,加热所述处理液,使得所述处理槽内的所述处理液保持在目标温度;密封部,密封所述处理槽;压力传感器,测量所述处理槽的内部压力;压力调节部,根据由所述压力传感器测量的所述内部压力,增减从所述处理槽内排出到外部的水蒸气的排气量,从而将所述处理槽的内部压力调节到高于大气压的目标压力;及浓度调节部,通过所述循环部在所述处理液中连续地加入纯水的同时,根据由所述压力传感器测量的所述内部压力,增减所述纯水的加水量,从而将所述处理液的浓度调节到预定的浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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