[发明专利]等离子体原子层生长装置有效
申请号: | 201680029977.3 | 申请日: | 2016-04-19 |
公开(公告)号: | CN107615459B | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
发明(设计)人: | 松本龙弥;鹫尾圭亮 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本制钢所 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;C23C16/44;C23C16/455;C23C16/50;H01L21/3065 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 殷明;俞丹 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种等离子体原子层生长装置,具备:能够从成膜容器内侧安装到气体导入开口部并包围气体导入开口部的开口的筒状绝缘性喷射器防粘构件;能够从成膜容器内侧安装到排气开口部并包围排气开口部的开口的筒状绝缘性排气防粘构件;能够安装到成膜容器的内壁侧的绝缘性成膜室防粘构件,喷射器防粘构件在与平板电极及相对电极侧之间具有间隙,以平板电极端为基准,前端位于内侧,排气防粘构件在与平板电极及相对电极侧之间具有间隙,以平板电极端为基准,前端位于内侧,成膜室防粘构件在喷射器防粘构件及排气防粘构件的两侧方配置为横跨喷射器防粘构件和排气防粘构件,在与平板电极及相对电极侧之间具有间隙,并具备:从上述间隙向成膜容器的内侧吹扫惰性气体的上部惰性气体供给口;从上述间隙向成膜容器的内侧吹扫惰性气体的下部惰性气体供给口;与上部惰性气体供给口连接的上部惰性气体供给部;与下部惰性气体供给口连接的下部惰性气体供给部。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 原子 生长 装置 | ||
【主权项】:
一种等离子体原子层生长装置,其具备:成膜容器;与保持在所述成膜容器内的基板相对设置的平板电极;在所述成膜容器内部保持基板的相对电极;设于所述成膜容器的一侧壁部的气体导入开口部;以及设于与所述一侧壁部相对的所述成膜容器的另一侧壁部的排气开口部,所述等离子体原子层生长装置在所述基板上形成薄膜,该等离子体原子层生长装置的特征在于,具备:能够从所述成膜容器的内侧安装到所述气体导入开口部并呈筒状地配置为包围所述气体导入开口部的开口的绝缘性喷射器防粘构件;能够从所述成膜容器的内侧安装到所述排气开口部并呈筒状地配置为包围所述排气开口部的开口的绝缘性排气防粘构件;以及能够安装到所述成膜容器的内壁侧的绝缘性成膜室防粘构件,在所述喷射器防粘构件与所述平板电极及所述相对电极侧之间具有间隙,且以所述气体导入开口部侧的所述平板电极端为基准,所述喷射器防粘构件的前端位于内侧,在所述排气防粘构件与所述平板电极及所述相对电极侧之间具有间隙,且以所述排气开口部侧的所述平板电极端为基准,所述排气防粘构件的前端位于内侧,所述成膜室防粘构件至少位于所述喷射器防粘构件及所述排气防粘构件的两侧方,在所述成膜室防粘构件与所述平板电极及所述相对电极侧之间具有间隙,而且该等离子体原子层生长装置具备:从所述平板电极与所述成膜室防粘构件之间的所述间隙向所述成膜容器的内侧吹扫惰性气体的上部惰性气体供给口;从所述相对电极与所述喷射器防粘构件、所述排气防粘构件及所述成膜室防粘构件之间的所述间隙向所述成膜容器的内侧吹扫惰性气体的下部惰性气体供给口;与所述上部惰性气体供给口连接的上部惰性气体供给部;与所述下部惰性气体供给口连接的下部惰性气体供给部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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