[发明专利]电力用半导体装置有效
| 申请号： | 201680031243.9 | 申请日： | 2016-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN107683530B | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 香川泰宏;田中梨菜;福井裕;菅原胜俊 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 于丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 保护扩散区域(11)具有：第一保护扩散区域(11A)，配置于最接近终端区域(200)的位置；以及第二保护扩散区域(11B)，与第一保护扩散区域(11A)隔着第一间隔(SP1)配置。作为终端扩散区域(12)与第一保护扩散区域(11A)之间的距离的第二间隔(SP2)大于第一间隔(SP1)。第一导电类型的电流扩散层(30)具有：第一电流扩散层(31)，位于第一保护扩散区域(11A)与第二保护扩散区域(11B)之间且具有比漂移层(2)的杂质浓度高的杂质浓度；以及第二电流扩散层(32V)，位于第一保护扩散区域(11A)与终端扩散区域(12)之间。第二电流扩散层(32V)包括具有比电流扩散层(31)的杂质浓度低的杂质浓度的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 电力 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种电力用半导体装置(501～503、506)，具备：第一导电类型的漂移层(2)，由宽带隙半导体构成；第二导电类型的基极区域(3)，在元件区域(100)中，形成于所述漂移层(2)的上部；第一导电类型的源极区域(4)，形成于所述基极区域(3)的上部；栅极绝缘膜(6)，形成于元件沟槽(TR1)的侧面及底面，所述元件沟槽(TR1)形成为贯通所述基极区域(3)及所述源极区域(4)而到达所述漂移层(2)；栅电极(7)，在所述元件沟槽(TR1)的内部隔着所述栅极绝缘膜(6)形成；第二导电类型的保护扩散区域(11)，在所述元件区域(100)的所述漂移层(2)内，形成于比所述元件沟槽(TR1)深的位置；第一导电类型的电流扩散层(30)，形成于所述基极区域(3)的下部；栅极抽出电极(7P)，在包围所述元件区域(100)的终端区域(200)中在侧面与所述基极区域(3)相接的终端沟槽(TR2)内隔着绝缘膜(6P)形成，与所述栅电极(7)电连接；以及第二导电类型的终端扩散区域(12)，在所述终端区域(200)中，形成于比所述终端沟槽(TR2)深的位置，在剖视图中，所述保护扩散区域(11)具有：第一保护扩散区域(11A)，在所述元件区域(100)内配置于最接近所述终端区域(200)的位置；以及第二保护扩散区域(11B)，与所述第一保护扩散区域(11A)隔着第一间隔(SP1)配置，作为所述终端扩散区域(12)与所述第一保护扩散区域(11A)之间的距离的第二间隔(SP2)大于所述第一间隔(SP1)，所述电流扩散层(30)具有：第一电流扩散层(31)，位于所述第一保护扩散区域(11A)与所述第二保护扩散区域(11B)之间且具有比所述漂移层(2)的杂质浓度高的杂质浓度；以及第二电流扩散层(32V、32L、32P)，位于所述第一保护扩散区域(11A)与所述终端扩散区域(12)之间，所述第二电流扩散层(32V、32L)包括具有比所述第一电流扩散层(31)的杂质浓度低的杂质浓度的区域。
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