[发明专利]半导体光调制元件有效
| 申请号： | 201680031603.5 | 申请日： | 2016-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN107615140B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 小木曾义弘;尾崎常祐;柏尾典秀;菊池顺裕;神德正树 | 申请（专利权）人： | 日本电信电话株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/025 | 分类号： | G02F1/025;G02F1/225 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能作为超高速且电稳定性优异的调制器来使用的马赫‑策德尔型(MZ)半导体光调制元件。本发明的半导体光调制元件是通过对在光波导进行导波的光的折射率进行调制的折射率调制区域以及进行在该折射率调制区域分支的光的合分波的输入输出区域来进行光的调制的马赫‑策德尔型半导体光调制元件，其特征在于，所述光波导在折射率调制区域中，在与闪锌矿型半绝缘性的半导体晶体基板的(100)面等效的基板面上，从上层层叠有n型包层、i芯层以及p型包层，所述n型包层在倒置台面方向形成为脊状，在该n型包层上设有电容加载电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 调制 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体光调制元件，其是马赫‑策德尔型半导体光调制元件，通过对在光波导进行导波的光的折射率进行调制的折射率调制区域、以及进行在该折射率调制区域分支的光的合分波的输入输出区域来进行光的调制，其特征在于，所述光波导在折射率调制区域中，在与闪锌矿型半绝缘性的半导体晶体基板的(100)面等效的基板面上，从上层朝向基板面至少层叠有n型包层、i芯层以及p型包层，所述n型包层在倒置台面方向形成为脊状，在该n型包层上设有电容加载电极。
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