[发明专利]用于增加半导体单元阵列中的组装密度的系统和方法在审
| 申请号： | 201680031750.2 | 申请日： | 2016-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN107690702A | 公开（公告）日： | 2018-02-13 |
| 发明（设计）人： | S·苏塔德加;W·李;P·李;常润滋 | 申请（专利权）人： | 马维尔国际贸易有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L27/108;H01L27/12;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/16;H01L29/45;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 酆迅,吕世磊 |
| 地址： | 巴巴多斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了用于使用和制造半导体器件的系统和方法。一种半导体器件包括晶体管阵列，其中晶体管阵列中的至少一些晶体管中的每个相应的晶体管(i)被定位为邻近晶体管阵列中的相应的第一相邻晶体管和相应的第二相邻晶体管，(ii)具有与相应的第一相邻晶体管的源极区域共享第一触点的源极区域，以及(iii)具有与相应的第二相邻晶体管的漏极区域共享第二触点的漏极区域。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 增加 半导体 单元 阵列 中的 组装 密度 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：晶体管阵列，其中所述晶体管阵列中的至少一些晶体管中的每个相应的晶体管(1)被定位为邻近所述晶体管阵列中的相应的第一相邻晶体管和相应的第二相邻晶体管，(2)具有与所述相应的第一相邻晶体管的源极区域共享第一触点的源极区域，以及(3)具有与所述相应的第二相邻晶体管的漏极区域共享第二触点的漏极区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
