[发明专利]半导体装置及制造方法有效
| 申请号： | 201680032029.5 | 申请日： | 2016-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN107636835B | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 内藤达也 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/336;H01L27/04;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 金玉兰;杨敏 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 能够兼顾沟道形成区的确保和闩锁抑制。提供一种半导体装置。所述半导体装置具备：半导体基板；多个沟槽部，设置于半导体基板的正面侧，分别具有沿着延伸方向延伸的部分；以及第一导电型的发射区和第二导电型的接触区，设置于相邻的2个沟槽部之间，在延伸方向上交替地在半导体基板的正面露出，在半导体基板的正面，发射区在2个沟槽部之间的中央位置处的长度比发射区的与沟槽部接触的部分的长度短，在半导体基板的正面，发射区的边界的至少一部分为曲线形状。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；多个沟槽部，设置于所述半导体基板的正面侧，分别具有沿着延伸方向延伸的部分；以及第一导电型的发射区和第二导电型的接触区，设置于相邻的2个沟槽部之间，在所述延伸方向上交替地在所述半导体基板的正面露出，在所述半导体基板的正面，所述发射区在所述2个沟槽部之间的中央位置处的长度比所述发射区的与所述沟槽部接触的部分的长度短，在所述半导体基板的正面，所述发射区的边界的至少一部分为曲线形状。
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