[发明专利]发光元件

摘要

本公开的发光元件具备：GaN基板；被形成在GaN基板上的、由n型的InxGa1‑xN(0＜x≤1)构成的第一应变校正层；以及被形成在第一应变校正层上的、由n型的In1‑a‑bGaaAlbN构成的、且具有(a/0.98)+(b/0.8)≥1、(a/1.02)+(b/0.85)≤1以及(a/1.03)+(b/0.68)≥1的关系的第一低折射率层。而且，还具备：被形成在第一低折射率层上的、由n型的AlzGa1‑zN(0.03≤z≤0.06)构成的、且折射率比第一低折射率层高的第一包覆层；以及被形成在第一包覆层上的激活层。

主权项

一种发光元件，具备：GaN基板；第一失真校正层，被形成在所述GaN基板上，由第一导电型的InxGa1‑xN构成，其中，0＜x≤1；第一低折射率层，被形成在所述第一失真校正层上，由第一导电型的In1‑a‑bGaaAlbN构成，并且，具有(a/0.98)+(b/0.8)≥1、(a/1.02)+(b/0.85)≤1、(a/1.03)+(b/0.68)≥1的关系；第一包覆层，被形成在所述第一低折射率层上，由第一导电型的AlzGa1‑zN构成，并且，折射率比所述第一低折射率层高，其中，0.03≤z≤0.06；以及激活层，被形成在所述第一包覆层上。