[发明专利]有源矩阵基板有效
| 申请号： | 201680032544.3 | 申请日： | 2016-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN107851667B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 宫本忠芳;中野文树 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522;H01L27/146 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 汪飞亚;习冬梅 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 使有源矩阵基板的配线的阻抗变小。一种有源矩阵基板，包含:基板31；配置于基板31，沿第一方向延伸的多数个的第一配线也就是栅极线；配置于基板31，沿与所述第一方向相异的第二方向延伸的多数个的第二配线也就是源极线Si；对应栅极线与源极线的各交点配置，与栅极线以及源极线连接的晶体管2；以及绝缘层；所述栅极线以及源极线的至少一方为，经由所述绝缘层的接触孔连接所述晶体管的电极，且与经由所述绝缘层的接触孔连接的所述晶体管的电极相比，透过厚的膜厚以及小的阻抗率的材料的至少一个的方式形成。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 矩阵 | ||
【主权项】：
一种有源矩阵基板，包含:基板；配置于所述基板，沿第一方向延伸的多数个的第一配线；配置于所述基板，沿与所述第一方向相异的第二方向延伸的多数个的第二配线；对应所述第一配线与所述第二配线的各交点配置，与所述第一配线以及所述第二配线连接的晶体管；以及绝缘层；所述第一配线以及所述第二配线的至少一方为，经由所述绝缘层的接触孔连接所述晶体管的电极，且与经由所述绝缘层的接触孔连接的所述晶体管的电极相比，通过厚的膜厚以及小的阻抗率的材料的至少一个的方式形成。
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