[发明专利]形成浅沟槽隔离(STI)结构的方法

摘要

本发明提供一种形成用于集成电路的沟槽隔离(例如，STI)的方法，所述方法包含：在半导体衬底上方形成垫氧化物层且接着形成氮化物层；穿透所述结构执行沟槽蚀刻以形成沟槽；沉积沟槽氧化物层于所述结构上方以形成经填充沟槽；沉积牺牲平坦化层于所述经沉积氧化物上方，所述牺牲平坦化层对所述沟槽氧化物层具有蚀刻选择性；执行平坦化蚀刻工艺，其移除所述牺牲平坦化层且减小所述沟槽氧化物层的上表面中的表面变化；执行氧化物蚀刻工艺，其对所述沟槽氧化物层具有选择性以移除所述经填充沟槽外侧的所述沟槽氧化物层的剩余部分；及移除剩余氮化物层，使得所述剩余经氧化物填充沟槽界定突出于所述半导体衬底的经曝露上表面上方的沟槽隔离结构。

主权项

一种形成用于集成电路的沟槽隔离结构的方法，所述方法包括：在半导体衬底上方形成氮化物层；穿透所述氮化物层及所述半导体衬底的部分执行沟槽蚀刻工艺以形成沟槽；沉积沟槽氧化物层于所述氮化物层的剩余部分上方且使其延伸到所述沟槽中以形成经填充沟槽；沉积牺牲平坦化层于所述沟槽氧化物层上方，所述牺牲平坦化层对所述沟槽氧化物层具有蚀刻选择性；执行多步骤蚀刻工艺，其：移除所述牺牲平坦化层且减小所述沟槽氧化物层的上表面中的表面变化；及移除所述经填充沟槽外侧的所述沟槽氧化物层的剩余部分；及移除所述氮化物层的所述剩余部分，使得所述经填充沟槽的剩余氧化物界定突出于所述半导体衬底的经曝露上表面上方的沟槽隔离结构。