[发明专利]图像传感器和电子装置在审
申请号: | 201680033226.9 | 申请日: | 2016-06-09 |
公开(公告)号: | CN107683526A | 公开(公告)日: | 2018-02-09 |
发明(设计)人: | 守屋雄介;引地邦彦;伊藤启之;山本笃志;清水正彦 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;G02B3/00;G02B5/00;H04N5/369 |
代理公司: | 北京正理专利代理有限公司11257 | 代理人: | 张雪梅 |
地址: | 日本国东*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开涉及一种图像传感器和电子装置,其使得可以抑制在光接收元件层上布置遮光体结构的图像传感器中引起的诸如混色、杂散光以及轮廓分辨率降低的麻烦。根据本公开的一方面的电子装置具有安装在其上的图像传感器,所述图像传感器包括遮光体,其具有遮光壁和各自形成在遮光壁之间的开口中的透光部分;第一遮光层,其形成在遮光体的光入射面侧上,并且针对遮光体的每个开口具有比遮光体的开口窄的开口;微透镜,设置在遮光体的光入射面侧上的第一遮光层的每个开口中;以及光接收元件层,具有大量光接收元件的阵列,每个光接收元件根据由微透镜收集并经由遮光体的透光部分输入的入射光进行光电转换。本公开可用于例如复眼光学系统。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 电子 装置 | ||
【主权项】:
一种图像传感器,包括:遮光体,其具有遮光壁和各自形成在所述遮光壁之间的开口中的透光部分;第一遮光层,其形成在所述遮光体的光入射面侧上,并且针对所述遮光体的每个所述开口具有比所述遮光体的所述开口窄的开口;微透镜,设置在所述遮光体的所述光入射面侧上的所述第一遮光层的每个所述开口中;以及光接收元件层,具有大量光接收元件的阵列,每个所述光接收元件根据由所述微透镜收集并经由所述遮光体的所述透光部分输入的入射光进行光电转换。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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