[发明专利]包括非定向耦合器的射频功率传感器在审

专利信息
申请号: 201680033998.2 申请日: 2016-04-18
公开(公告)号: CN107710501A 公开(公告)日: 2018-02-16
发明(设计)人: T·L·霍尔特 申请(专利权)人: 伯德技术集团股份有限公司
主分类号: H01P5/08 分类号: H01P5/08;H01P5/103;H01P5/18;G01R21/00;G01R21/10
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司11283 代理人: 邝圆晖,王丽娜
地址: 美国俄*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明公开了一种包括非定向耦合器印刷电路板(PCB)和电容衰减器的电容式非定向耦合器。所述非定向耦合器PCB包括耦合器部分,所述耦合器部分配置为承载在主传输线上传输的能量。所述非定向耦合器PCB和所述电容衰减器配置为电容分压器,并且提供主传输线上的能量的样本。本发明还公开了一种使用包括电容式非定向耦合器的RF功率传感器来测量RF功率的方法,所述RF功率传感器包括非定向耦合器印刷电路板和电容衰减器。本发明还公开了一种RF功率计量系统,其包含包括电容式非定向耦合器的RF功率传感器。
搜索关键词: 包括 定向耦合器 射频 功率 传感器
【主权项】:
一种电容式非定向耦合器,包括:非定向耦合器印刷电路板(PCB)和电容衰减器;所述非定向耦合器PCB包括耦合器部分,所述耦合器部分配置为承载在主传输线上传输的能量;其中,所述非定向耦合器PCB和所述电容衰减器配置为电容分压器,并且提供所述主传输线上的能量的样本。
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