[发明专利]针对侧壁孔密封及通孔清洁度的互连整合有效
| 申请号： | 201680034165.8 | 申请日： | 2016-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN107743651B | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 任河;梅裕尔·B·奈克;迪内士·帕德希;普里扬卡·戴什;巴斯卡·库马;亚历山德罗斯·T·迪莫斯 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3105;H01L21/02;C23C16/56;C23C16/48;C23C16/36;C23C16/04 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种密封多孔低k介电膜的方法。该方法包含以下步骤：将基板暴露于UV辐射和第一反应气体，其中基板具有限定在基板中的开口特征，开口特征由多孔低k介电层和导电材料所界定，其中多孔低k介电层是含硅和碳材料且使用UV辅助光化学气相沉积而在多孔低k介电层的暴露表面上选择性地形成孔密封层在开口特征中。 | ||
| 搜索关键词： | 针对 侧壁 密封 清洁 互连 整合 | ||
【主权项】：
一种方法，所述方法包含以下步骤：将基板暴露于UV辐射和第一反应气体，其中所述基板具有限定在所述基板中的开口特征，所述开口特征由多孔低k介电层和导电材料所界定，其中所述多孔低k介电层是含硅和碳材料；和使用UV辅助光化学气相沉积而选择性在所述多孔低k介电层的数个暴露表面上形成孔密封层在所述开口特征中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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