[发明专利]垂直纳米线MOSFET制造中的垂直后栅极工艺的方法有效
| 申请号： | 201680035096.2 | 申请日： | 2016-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN108235786B | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 拉尔斯-埃里克·维尔纳松;马丁·贝里;卡尔-芒努斯·佩尔松;约翰内斯·斯文松;埃里克·林德 | 申请（专利权）人： | 拉尔斯-埃里克·维尔纳松;马丁·贝里;卡尔-芒努斯·佩尔松;约翰内斯·斯文松;埃里克·林德 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/28;H01L29/423;H01L21/335;H01L29/739;H01L29/775;B82Y10/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 樊晓焕;金小芳 |
| 地址： | 瑞典*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种使用后栅极工艺的垂直纳米线MOSFET制造方法。首先制造顶部欧姆电极，并且其可以用作掩模以利用蚀刻技术形成栅极凹陷。随后形成栅极，其在很大程度上降低了接入电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 纳米 mosfet 制造 中的 栅极 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造垂直纳米线MOSFET的方法，其中，在栅极沉积之前限定顶部欧姆电极的接触区。
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