[发明专利]非易失性半导体存储装置

摘要

本发明提供一种非易失性半导体存储装置，与现有技术相比，该装置可以减少数据读取动作时由电压变动导致的读取误动作，进而可以降低由电压变动导致的功耗增加。在该非易失性半导体存储装置(1)中，当发生制造不良时，与如现有的施加不同电压值的可能性较高的不同种类的漏极侧选择栅极和源极侧选择栅极连接而导致整个非易失性半导体存储装置中产生电压变动的情况相比，可以减少数据读取动作时由电压变动导致的读取误动作，进而可以降低由意外电压变动导致的功耗增加。

主权项

1.一种非易失性半导体存储装置，其特征在于，至少包括：一存储器单元形成部，在一方向上延伸设置，并且存储器栅极沿长度方向延伸设置；及另一存储器单元形成部，在一方向上延伸设置，并且存储器栅极沿长度方向延伸设置，所述一存储器单元形成部和所述另一存储器单元形成部以预定距离并行配置在半导体基板上，所述一存储器单元形成部和所述另一存储器单元形成部包括：第一选择栅极构造体，在所述半导体基板的阱上夹着第一选择栅极绝缘膜具有第一选择栅极；第二选择栅极构造体，在所述阱上夹着第二选择栅极绝缘膜具有第二选择栅极；及存储器栅极构造体，在所述第一选择栅极构造体与所述第二选择栅极构造体之间夹着侧壁隔板设置，并且在所述阱上依次层叠下部栅极绝缘膜、电荷存储层、上部栅极绝缘膜及所述存储器栅极，在所述一存储器单元形成部的长度方向端部与所述另一存储器单元形成部的长度方向端部之间，没有形成有所述第一选择栅极和所述第二选择栅极，并且具有将所述一存储器单元形成部的长度方向端部和所述另一存储器单元形成部的长度方向端部通过存储器栅极连接的选择栅极非形成区域，在所述一存储器单元形成部和所述另一存储器单元形成部的所述存储器栅极，在第一侧壁侧设置有所述第一选择栅极，所述第一侧壁侧是在由所述一存储器单元形成部、所述另一存储器单元形成部及所述选择栅极非形成区域包围的区域围绕的内周壁。