[发明专利]具有外围晶体管的外延半导体基座的三维存储器器件

摘要

提供了一种制造存储器器件的方法，所述方法包括在半导体基板之上形成绝缘体层和间隔体材料层的第一交替堆叠体，蚀刻所述第一交替堆叠体以暴露单晶半导体材料，在所述单晶半导体材料上形成第一外延半导体基座，使得所述第一外延半导体基座与所述单晶半导体材料外延对齐，通过所述第一交替堆叠体形成存储器堆叠结构的阵列，以及在所述第一外延半导体基座之上形成至少一个半导体器件。

主权项

一种制造存储器器件的方法，包括：在基板的单晶半导体表面之上形成绝缘体层和间隔体材料层的交替堆叠体；通过图案化所述交替堆叠体形成阶梯式表面，其中所述单晶半导体表面在所述交替堆叠体的所有层被移除的区域中被暴露；在形成所述阶梯式表面之后，分别在所述半导体基板的半导体表面之上和所述阶梯式表面之上形成外延半导体基座和电介质材料部分，其中所述外延半导体基座与所述基板的单晶半导体表面外延对齐；通过所述交替堆叠体的剩余部分形成存储器堆叠结构的阵列；以及在所述外延半导体基座上形成至少一个半导体器件。