[发明专利]使用含有牺牲填充材料的腔制造的多级存储器堆叠体结构有效
| 申请号： | 201680036417.0 | 申请日： | 2016-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN107810552B | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | Z.卢;D.毛;T.张;J.阿尔斯梅尔;W.史;H.钱 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L27/11575;H01L27/11582;H01L29/792;H01L21/311;H01L27/11548;H01L27/11556;H01L29/788 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种形成三维存储器装置的方法，包含在基板之上形成绝缘材料层和第一牺牲材料层的下部堆叠体结构，穿过下部堆叠体结构形成第一存储器开口并用牺牲填充材料填充第一存储器开口，用第一导电层替换第一牺牲材料层，在替换第一牺牲材料层之后在下部堆叠体结构之上形成绝缘和第二牺牲材料层的上部堆叠体结构，在上覆于第一存储器开口的区域中穿过上部堆叠体结构形成第二存储器开口，用第二导电层替换第二牺牲材料层，从第二存储器开口下方的第一存储器开口移除牺牲填充材料，以在替换第二牺牲材料层之后形成堆叠体间存储器开口，以及在堆叠体间存储器开口内形成存储器堆叠体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 含有 牺牲 填充 材料 制造 多级 存储器 堆叠 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单片三维存储器装置，包括：下部堆叠体结构，其包括第一交替堆叠体，所述第一交替堆叠体包含第一绝缘层和第一导电层，且位于基板之上；上部堆叠体结构，其包括第二交替堆叠体，所述第二交替堆叠体包含第二绝缘层和第二导电层，且位于所述下部堆叠体结构之上；以及多个存储器堆叠体结构，其延伸穿过所述下部堆叠体结构和所述上部堆叠体结构；其中：所述存储器堆叠体结构中的每一个位于存储器开口中且包括下部阻挡电介质和上部阻挡电介质，所述下部阻挡电介质与所述存储器开口的下部部分的侧壁接触，并且所述上部阻挡电介质与所述存储器开口的上部部分的侧壁接触且不与所述下部阻挡电介质物理接触，其中所述上部阻挡电介质和所述下部阻挡电介质的组分和厚度中的至少一者彼此不同；所述存储器开口的下部部分的侧壁通过所述上部堆叠体结构的水平底部表面与所述存储器开口的上部部分的侧壁邻接；所述多个存储器堆叠体结构中的每一个包括存储器膜，所述存储器膜包含存储器材料层和隧穿电介质层；并且每个存储器材料层接触所述上部堆叠体结构的水平底部表面。
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