[发明专利]工件处理技术有效
申请号: | 201680036425.5 | 申请日: | 2016-06-24 |
公开(公告)号: | CN107710390B | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | 摩根·D·艾文斯;凯文·安葛林;萝丝·班迪 | 申请(专利权)人: | 瓦里安半导体设备公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/66 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨文娟;臧建明 |
地址: | 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开用于处理工件的方法。通过测量离子束从工件移除或添加到工件的随离子束位置而变的材料的量,确定离子束的不同部分可处理工件的实际速率,所述实际速率被称为处理速率剖面。确定将处理的工件的最初厚度剖面。基于最初厚度剖面、目标厚度剖面以及离子束的处理速率剖面,确定第一组处理参数。接着使用此第一组处理参数处理工件。在一些实施例中,在第一处理之后确定经更新厚度剖面,且确定第二组处理参数。使用第二组处理参数执行第二处理。还公开用以改善生产量的优化。本发明通过测量离子束的随离子束位置而变的实际处理速率剖面,可实现对工件的经改善处理。 | ||
搜索关键词: | 工件 处理 技术 | ||
【主权项】:
一种处理工件的方法,其包括:测量第一工件的最初厚度剖面;在预定时间内或以预定剂量朝向所述第一工件引导离子束;在引导之后测量所述第一工件的经更新厚度剖面;基于所述最初厚度剖面与所述经更新厚度剖面之间的差确定所述离子束的随离子束位置而变的蚀刻速率剖面;以及基于所述离子束的所述蚀刻速率剖面处理第二工件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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